簡要描述:原裝IGBT 模塊FZ400R12KE4 IGBT 模塊現(xiàn)在提供集成式分流電阻,用于交流電路中的電流監(jiān)測。將附加功能集成到IGBT模塊中是優(yōu)化逆變器整體系統(tǒng)成本非常有效的方法。不再需要外部電流傳感器。英飛凌為3級NPC2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供專用EconoDUAL™3模塊。Viso測試依照IEC60747-9標(biāo)準(zhǔn)針對我們所有的IGBT模塊進(jìn)行100%的檢測。請參閱附件中有關(guān)最終測試的信息。測試時(shí),所有端
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原裝IGBT 模塊FZ400R12KE4
IGBT 模塊現(xiàn)在提供集成式分流電阻,用于交流電路中的電流監(jiān)測。將附加功能集成到IGBT模塊中是優(yōu)化逆變器整體系統(tǒng)成本非常有效的方法。不再需要外部電流傳感器。英飛凌為3級NPC2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供專用EconoDUAL™3模塊。Viso測試依照IEC60747-9標(biāo)準(zhǔn)針對我們所有的IGBT模塊進(jìn)行100%的檢測。請參閱附件中有關(guān)最終測試的信息。測試時(shí),所有端子將被連接在一起。
IGBT 模塊連續(xù)網(wǎng)絡(luò)熱路模型 (Continued fraction circuit,也稱作Cauer模型, T模型或梯形網(wǎng)絡(luò))連續(xù)網(wǎng)絡(luò)熱路模型(Continued fraction circuit)反應(yīng)了帶有內(nèi)部熱阻的半導(dǎo)體器件的熱容量真實(shí)的物理傳導(dǎo)過程。當(dāng)已知器件的每層的材料特性時(shí),就能夠建立這個(gè)模型。然而,要畫出 每層材料上的熱路圖是十分麻煩的。模塊的每一層(芯片、芯片的連接部、基片、基片連接部、底板)都可以用相應(yīng)獨(dú)立的RC單元來表示。因此從熱路模型的各網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)就能夠獲得每層材料的內(nèi)部溫度。與連續(xù)網(wǎng)絡(luò)熱路模型不同,局部網(wǎng)絡(luò)熱路模型(Partial fraction circuit)的RC部分不再與各材料層對應(yīng)。網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)沒有任何物理意義。本應(yīng)用手冊是用該模型,因?yàn)橄禂?shù)很容易從已測得的散熱曲線中得到,因此該模型往往用于解析計(jì)算模塊的溫度分布。
原裝IGBT 模塊FZ400R12KE4
IGBT 模塊在實(shí)際應(yīng)用中,基板和散熱片的溫度不是總能簡化假設(shè)為恒定值,因?yàn)榕c散熱片的時(shí)間常數(shù)相比,負(fù)載周期的時(shí)間不是短到可以忽略的。對于非固定的工作環(huán)境,要對Tcase(t )進(jìn)行測量或者將IGBT模型與散熱片模型連接。在以上兩種網(wǎng)絡(luò)熱路模型中,在評估情況下的溫度時(shí)是用導(dǎo)熱膠Rt h 替代常常是未知的導(dǎo)熱膠Zt h。然而,在局部網(wǎng)絡(luò)熱路模型中,當(dāng)一個(gè)階躍的功率輸入到IGBT中時(shí)將導(dǎo)致通過導(dǎo)熱膠的溫度隨即上升,并因此將導(dǎo)致實(shí)際器件中不存在的結(jié)溫升高。有兩種方法可以避開這個(gè)問題:1) 如果散熱片的Zt h 可以通過測量得到,應(yīng)當(dāng)用基板的溫度Tcase來代替散熱片的溫度Th s。在這種情況下,導(dǎo)熱膠已經(jīng)包含在散熱片的溫度測量中,這樣就不必再單獨(dú)分開考慮。2) 如果IGBT已經(jīng)搭建,因已知輸入功率損耗P(t ),則基板的溫度Tcase(t )可以直接測量得到。
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